针对减弱大功率LED静电危害，外企发布最新研究成果
2009-05-15
作者：未知
来源：中国半导体照明网
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摘要： Samsung、Eudyna Devices和EpiValley三大公司，近日发布了关于减弱大功率LED静电危害的方法的最新研究成果。
Samsung、Eudyna Devices和EpiValley三大公司，近日发布了关于减弱大功率LED静电危害的方法的最新研究成果。
静电放电(ESD)
静电放电(ESD)伤害通常是指脉冲时间。少于100纳秒的高能量静电脉冲，高能静电脉冲释放出的能量能够在半导体材料上融化出孔洞(如图)，生成小裂纹，延伸到LED材料的表面。据美国国家标准学会(ANSI)对半导体产业的调查显示，静电放电伤害导致的平均产品损失在8%～33%。
来自首尔国民大学(Kookmin University)和庆熙大学(Kyung Hee University)的研究人员，携手EpiValley公司LED制造商共同研究，以提高氮化铟镓(InGaN )LED电容(capacitance)。为了增加电容，韩国研究人员改变了在生长量子阱前的10nm厚的n型GaN薄膜的硅掺杂浓度，浓度从3×1018 cm-3变到2×1019 cm-3。当量子阱生长之后，如果将200nm厚的p型GaN薄膜中的镁掺杂浓度调整为4×1019 cm-3，效果会更好。
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