2008 IDW看OLED技术最新进展
摘要： IDW 2008 ( International Display Workshops)已于2008年12月3日至5日，于日本新潟县(Niigata City) Toki Messe Convention Center 举行，由The Institute of Image Information and Television Engineers (ITE)及The Society for Information Display(SID)所主办，是显示器相关产业每年年末的最后一场盛会。
图二、可溶性蓝光OLED组件的寿命和发光亮度的关系
(4) 102 lm/W White Phosphorescent OLED --- UDC, USA
UDC发表两个白光OLED组件，其发光效率分别为89 lm/W和102 lm/W，打破目前的世界纪录，相当令人注目，但是详细的材料和组件结构并未揭露。这两个白光组件WOLED-1和WOLED-2的CIE坐标分别为(0.41, 0.46)和(0.48, 0.46)，色温则为3900K和2800K，其EL光谱如图三。
图三、白光组件的EL光谱
(5) Horizontal Dipping Method for Simple Fabricating OLEDs --- Kwangwoon University, Korea
一种新的solution-process的方法被提出，命为Horizontal Dipping (H-dipping)，图四为其示意图，由调控圆柱体和基板的距离(h)，以及基板的移动速度(V)，可以准确的控制有机发光膜层的厚度和均匀性，组件结构为ITO / PEDOT:PSS / EL layer / CsF / Al，如图五为其移动速度和膜层厚度的关系。在10cm x 10 cm的基板上，使用H-dipping的方法可以得到均匀度很高的膜层，平均粗糙度(roughness)只有0.897 nm。
图四、H-dipping的示意图
图五、膜层厚度和基板移动速度的关系图 (编辑：XGY)
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