记者从省信息产业厅获悉，碳化硅单晶生长炉在山东大学晶体材料国家重点实验室研制成功，制约山东省高性能大功率光电子产业发展的主要瓶颈已被打破。

　　近年来，以半导体照明为主体的山东省光电子产业取得了快速发展，但能够制造半导体照明原材料的大直径碳化硅单晶生长炉却一直依赖进口，致使半导体照明的生产成本居高不下。山东大学晶体材料国家重点实验室具有多年单晶生长和半导体材料研发经验。2007年底，他们开始进行碳化硅单晶炉的研制。在蒋民华院士的指导下，长江学者特聘教授徐现刚博士带领课题组成员，通过半年多时间的艰苦攻关，完成了部件加工与采购、控制电路、软件开发和单晶炉的安装调试，并进行了单晶生长试验。提出了单晶旋转与升降的创新方案，完成了真空设计、高纯气体输运、冷却水保障和电源控制方案，改进了进口单晶炉的缺点，成功地研制出2英寸碳化硅单晶炉，并生长出了2英寸碳化硅单晶。

　　据了解，该实验室自主研发的碳化硅单晶生长炉最高温度可达2500℃，真空漏率小，工作压力可控范围广，生长参数自动控制，生长炉运行稳定，生长结果重复性和稳定性高。研制成本仅为进口单晶生长炉的三分之一，规模化设备制造的成本还可进一步下降，扫除了碳化硅单晶产业化进程中的关键障碍。

　　省信息产业厅有关人士表示，第三代宽禁带半导体碳化硅可广泛用于微波大功率器件和半导体照明产业，生长大直径的碳化硅单晶，把碳化硅衬底推向实用化，对积极推进大功率微波器件的国产化和半导体照明产业发展具有重要战略意义。随着碳化硅单晶产业化最后的一个难关被成功攻破，我国实现了从单晶生长炉制造、单晶生长、衬底加工和应用的全部国产化。单晶炉的研发成功，填补了国内空白，打破了国外垄断，也为我们走有山东特色的半导体照明奠定了坚实基础。

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