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LEDinside发表LED外延片技术发展趋势及工艺

2008-03-24 作者:未知 来源:中国半导体照明网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: LEDinside发表知识库新文章[LED外延片技术发展趋势及LED外延片工艺]

  LEDinside发表知识库新文章[LED外延片技术发展趋势及LED外延片工艺]

  从LED工作原理可知,外延片材料是LED的核心部分,事实上,LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料。外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,简称MOCVD)技术生长III-V族,II-VI族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下面是关于LED未来外延片技术的一些发展 趋势。

  目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6片机比较成熟,20片左右的机台还在成熟中,片数较多后导致外延片均匀性不够。(编辑:XGY)

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