王良臣：高效大功率LED芯片关键工艺技术
2008-01-25
作者：未知
来源：中国半导体照明网
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摘要： 1月24日，由中国半导体照明工程研发及产业联盟主办，由中科院半导体照明研发中心承办的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”在中国科学院半导体研究所学术会议中心胜利召开。会上，中科院半导体研究所王良臣研究员做了题为《高效大功率LED芯片关键工艺技术》的报告。
1月24日，由中国半导体照明工程研发及产业联盟主办，由中科院半导体照明研发中心承办的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”在中国科学院半导体研究所学术会议中心胜利召开。会上，中科院半导体研究所王良臣研究员做了题为《高效大功率LED芯片关键工艺技术》的报告。
在报告中，王良臣研究员深入介绍了正装挑选线阵功率型LED关键技术及进展，认为正装条形双透明电极LED在光、电、热特性上均优于传统正装结构，且利于产业化;并阐述了垂直结构功率型LED原理，关键技术方案、瓶颈及进展;认为垂直技术结合图形衬底、ITO及表明粗化，可获得最高提取率。（编辑:FJ）
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