目前全球LED产能突破的情况相当明显，其中台湾、日本、南韩与中国均有一定程度的量产能力与技术提升。以中国为例，规划的产业目标是年产300亿颗LED，同时希望能够拥有超高亮度AiGslnP的LED外延片、LED芯片，除了较低阶的红光LED，也计划GaN材料为主的蓝光、白光LED产品量产。而日本在高亮度白光、RGB三色LED、背光源用LED则有较佳的着墨，市占率也高。

　　我们如果观察LED产业供应链，上游是LED基底芯片及基底生产，中游则是LED芯片设计及制造生产，下游为LED封装与测试，但随着产业日益蓬勃发展，上中下游整合的方式很明显，如日本日亚化，上中下游就全包了，而台湾厂商则颗分成上游和下游，中游的部分为上游吸收进去。

　　一般情况下，分立器件的芯片被密封在封装体内，封装的作用主要是保护芯片和完成电气互连。而LED封装则是完成输出电信号，保护芯片正常工作，输出：可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于LED。 LED的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结芯片，当注入pn结的少数载流子与多数载流子復合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是芯片产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、芯片结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高LED的内、外部量子效率。常规Φ5mm型LED封装是将边长0.25mm的正方形芯片粘结或烧结在引线架上，芯片的正极通过球形接触点与金丝，键合为内引线与一条管脚相连，负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连，然后其顶部用环氧树脂包封。