3) 正向电压降低70%以上，减少了损耗和部件个数

　　SiC-MOSFET的体二极管，在SiC物质特性的原理上决定了其开启电压较大，高达2.5V以上，常常成为逆变器工作时的损耗。“SCH2080KE”集SiC-SBD与SiC-MOSFET于同一封装内，大大降低了正向电压。不仅损耗更低，还可减少部件个数。

　　4) 无尾电流，可进行低损耗开关

　　由于不会产生Si-IGBT中常见的尾电流，因此关断时的开关损耗可减少90%，有助于设备更加节能。另外，达到了Si-IGBT无法达到的50kHz以上的开关频率，因此，可实现外围设备的小型化、轻量化。

　　【术语解说】

　　体二极管(Body diode)

　　MOSFET的结构中，寄生于内部而形成的二极管。逆变器工作时，电流经过此二极管，因此要求具备低VF值和高速恢复特性。

　　尾电流(Tail current)

　　IGBT中的关断时流过的瞬态电流。因空穴注入的积累时间而产生。此期间内需要较高的漏极电压，因此产生较大的开关损耗。

　　IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极晶体管)

　　不仅电子，不同的空穴，电流流经而实现低导通电阻的功率晶体管。因空穴注入的积累时间无法高速动作，具有开关损耗较大的问题。

　　正向电压(VF　：Forward Voltage)

　　正向电流流经时二极管产生的电压值。数值越小耗电量越小。

　　导通电阻

　　功率元件工作时的电阻值。这是影响功率MOSFET性能的最重要的参数，数值越小性能越高。