日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC(Silicon carbide：碳化硅)MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。

　　本产品于世界首次成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压(VF)降低70%以上，实现更低损耗的同时还可减少部件个数。

　　生产基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)，从6月份开始出售样品，从7月份开始陆续量产。

　　现在，在1200V级别的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT，但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大，因此，更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是，传统的SiC-MOSFET，体二极管通电导致的特性劣化(导通电阻和正向电压的上升/耐性劣化)和栅氧化膜故障等可靠性方面的课题较多，之前无法实现真正的全面导入。

　　此次，罗姆通过改善晶体缺陷相关工艺和元件构造，成功地攻克了包括体二极管在内的可靠性方面的所有课题。而且，与传统产品相比，单位面积的导通电阻降低了约30%，实现了芯片尺寸的小型化。

　　另外，通过独创的安装技术，还成功将传统上需要外置的SiC-SBD一体化封装，使SiC-MOSFET的体二极管长久以来的课题—降低正向电压成为可能。

　　由此，与一般的逆变器中所使用的Si-IGBT相比，工作时的损耗降低了70%以上，实现了更低损耗的同时，还实现了50kHz以上的更高频率，而且有助于外围部件的小型化。

　　另外，此次还同时开发了与SiC-SBD非同一封装的型号SiC-MOSFET“SCT2080KE”，提供满足不同电路构成和客户需求的产品。两种产品将在6月19日(周二)～21日(周四)于上海世博展览馆举行的聚集电力电子、智能运动、电力特性等最新技术的专业类展会“PCIM Asia 2012”的罗姆展台展出。欢迎莅临现场参观。

　　【特点】

　　1) SiC-MOSFET与SiC-SBD一体化封装

　　成功实现“SCH2080KE”与传统上需要外置的SiC-SBD的一体化封装，降低了正向电压。可减少部件个数，而且有助于进一步节省空间。产品阵容中还包括传统结构的“SCT2080KE”，可满足客户的多种需求。

　　2) 无开启电压，具备卓越的电流电压特性

　　通过优化工艺和元件构造，与第1代产品相比，单位面积的导通电阻降低约30%。不存在一般使用的Si-IGBT长久以来所存在的开启电压，因此即使在低负载运转时损耗也很低。