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AIXTRON新一代MOCVD反应炉已达生产力目标

2010-03-01 作者:未知 来源:中国光电网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 德国MOCVD(LED外延生长设备)大厂AIXTRON AG在2月22日发布新闻稿指出,新一代MOCVD Platform AIX G5 HT系统已达成生产力目标:在600毫巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(GaN)沉淀,产量超过前一代系统的1倍,氮化镓/氮化铟镓(InGaN)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况下,上述晶膜的生成在台湾晶电厂区连续进行。

  德国MOCVD(LED外延生长设备)大厂AIXTRON AG在2月22日发布新闻稿指出,新一代MOCVD Platform AIX G5 HT系统已达成生产力目标:在600毫巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(GaN)沉淀,产量超过前一代系统的1倍,氮化镓/氮化铟镓(InGaN)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况下,上述晶膜的生成在台湾晶电厂区连续进行。目前此MOCVD反应炉正要转换至量产阶段。AIXTRON 22日终场逆势上涨2.02%,收23.48欧元;在NASDAQ挂牌的ADS涨2.6%,收31.94美元。

  美联社2月初曾报导,Merriman Curhan Ford分析师Bill Ong 4日表示,MOCVD设备订单异常强劲恐将导致产业在短期内面临产能过剩的窘境,这将进一步迫使LED价格走低。

  由于LED照明市场商机逐渐浮现,相关类股表现也随之引人侧目。AIXTRON AG在德国挂牌股票的2009年度涨幅高达393.70%。根据科技市调机构iSuppli 09年12月14日发表的报告显示,预期2009年全球LED销售额可望年增10.9%至74亿美元,并于2013年进一步攀升至143亿美元。(编辑:FJ)

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