0　引言

　　近年来，GaN 基白光发光二极管(LightEmittingDiode，LED)因其使用寿命长、高效节能、绿色环保等优点被誉为继白炽灯、荧光灯、气体放电之后的第四代照明光源，被广泛应用于液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)、手机、数码相机等领域.目前实现氮化物白光LED 广泛采用的方案有两种：1)以InGaN 基蓝光或紫光LED 为基础光源，通过荧光粉实现荧光下转换;2)多芯片混色的白光LED.由于后者发光全部来自发光二极管，因此，制作成本较高，另外由于三种颜色发光二极管之间老化特性的差异，常导致发光过程中变色.目前广泛采用InGaN 基蓝光或紫光LED 加荧光粉的方法，但是，无机荧光粉一般面临着光致转换效率低及色散指数(ColorRenderingIndex，CRI)低等缺点.此外，无荧光粉的单芯片白光LED 也已有报道，主要是在同一个蓝宝石衬底上依次生长两种或三种InGaN/GaN 多量子阱结构的LED，调节In组分来实现从蓝光到红光的发射从而合成白光，然而，InGaN/GaN 基LED 的红光部分发光效率较低，导致相关白光LED 发光效率远低于蓝光加荧光粉的白光LED 的效率.最近，Mirhosseini等人通过模拟结果显示利用双蓝光波长LED 涂覆Y3Al5O12∶Ce3+ (YAG∶Ce)荧光粉能够在保持高的发光效率的同时得到高显色指数的白光LED.

　　本文采用混合多量子阱结构实现单芯片双蓝光波长发射，提高蓝光发射光谱的半高宽，并基于这种宽光谱的蓝光芯片激发YAG∶Ce荧光粉实现了高显色性的白光LED[15]，然而相关白光LED 的发光效率较低.

　　近期，有许多研究发现通过调整活性层GaN垒层或InGaN 阱层的厚度来调节空穴的注入活性层的能力，并显著改善GaN 基LED 蓝光的性能.本文采用金属有机化学气相淀积(MetalorganicChemicalVaporDeposition，MOCVD)系统在(0001)蓝宝石衬底上顺序生长两个In0.18Ga0.82N/GaN 量子阱和两个In0.12Ga0.88N/GaN 量子阱的双蓝光波长LED，并对不同GaN 垒层厚度的双蓝光波长LED 的光电性能进行分析，结果发现GaN垒层的厚度能调节双蓝光波长LED 的发射光谱和发光效率，并用交流阻抗谱技术来分析相关电路模型，此外，还对垒层减小的双蓝光波长芯片与YAG∶Ce荧光粉封装的白光LED 的性能进行了研究.