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新一代GaN衬底技术 可大大提升LED制造良率

上传人:未知

上传时间: 2009-04-20

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  Inlustra公司目前正在扩充生产线,并已经开始接受客户的订单;该公司目前所提供的非极性GaN衬底,其规格为5×10mm、10×20mm,不过在未来的9到12个月内,可以将其制程扩展到2英吋。该公司的首席技术官Paul Fini在一份声明中表示:“我们的专利外延技术可显著减少衬底的缺陷数量,因而有助于客户提升组件量产时的良率。”

  Inlustra的目标市场是LED相关应用领域;GaN材料对于绿色、蓝色、紫色,以及超紫外光产品十分重要。“更重要的是,GaN白光LED适用于普通照明,这将成为一种高效率、无毒性的日光灯与白炽灯泡替代品;可在未来20年内节省50亿桶石油。”该公司引述美国能源部的数据指出。

  GaN是LED的关键技术;根据Inlustra提供的资料:“GaN具有晶体结构,某些部分有强烈的方向性。该结构非极性和半极性的面引起了研究人员的浓厚兴趣,希望能用以取代传统的极性GaN的c面(c-plane);因为后者正面临着一些基础性的组件效率限制。与传统GaN技术相较,非极性和半极性GaN可以显著提高组件性能、制造良率与组件寿命。”

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