配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件： 一个采用DPAK封装的100 V MOSFET，以及一个同样采用DPAK封装的100 V肖特基二极管。LED背光单元中，肖特基二极管的高漏电流可能会造成一些问题，尤其在较高温度下。某些客户曾遇到量产时肖特基二极管出现泄漏故障的问题。改善泄漏故障的一种方法是将肖特基二极管的额定电压从100 V增加到120 V，但系统温度较高时，漏电流依然是个问题。

　　飞兆半导体的设计团队开发了一种替代方法，即采用100 V BoostPak解决方案。BoostPak系列(图1)在单封装内集成两个器件： 一个100 V MOSFET和一个150 V NP二极管。

图1. BoostPak在单封装内集成100 V MOSFET和150 V NP二极管

　　BoostPak系列采用5引脚DPAK单封装。N沟道MOSFET针对最大程度降低导通电阻并保持出色的开关性能而设计。NP二极管为超快速整流器，带低正向导通压降，具有出色的开关性能。相比肖特基二极管，它具有低得多的漏电流，在高温应用中提供更高的系统可靠性。

　　相比双分立器件解决方案，BoostPak方案的尺寸更小，可节省多达20mm2的PCB空间。使用单封装而非两个封装还意味着装配更方便、系统成本更低。

　　BoostPak系列提供两种版本，一种额定输出功率为25 W，另一种额定值为40 W。表1列出详细信息。