行业观点

　　宽禁带半导体是尖端军事和节能产业的核心：相比于Si 和GaAs 材料，以GaN、SiC 为代表的宽禁带半导体凭借击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等特点，能够大幅提升电子器件的高压、高频、高功率工作性能，在军事、新能源、电动汽车等领域应用前景巨大。

　　LED 之外，宽禁带半导体功率器件开始崭露头角：目前GaN 和SiC 最大的应用领域为LED 行业，形成了100 亿美元的市场;除此之外，近两年在微波功率器件和电力电子器件领域开始走向商业化，我们认为未来两年GaN 和SiC 功率器件市场将开始快速发展，潜在市场容量超过300 亿美元，未来将在军事设备、光伏逆变器、电动汽车等领域开始逐步替代Si 和GaAs 功率器件;

　　GaN 是微波器件的首选，在军事领域将大展拳脚：GaN 适用于高频大功率应用，是微波器件最为理想的材料，其功率密度是现有GaAs 器件的10倍，将成为下一代雷达技术的标准，美军干扰机和“宙斯盾”驱逐舰的相控阵雷达开始换装GaN 产品，军用市场将在未来几年推动GaN 微波器件的快速发展;

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