氮化镓低维纳米结构的制备与表征
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上传人：吕伟、吴莉莉、邹科、吴佑实 上传时间： 2013-05-21 浏览次数： 47 |
| 作者 | 吕伟、吴莉莉、邹科、吴佑实 |
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| 单位 | 山东大学材料科学与工程学院 |
| 分类号 | O614.371 |
| 发表刊物 | 《山东大学学报(工学版)》 |
| 发布时间 | 2007年 |
摘要：主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出GaN纳米线和纳米带.通过X-射线衍射(XRD),扫面电镜(SEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等测试手段对其形貌进行了表征和分析.研究了实验过程中工艺条件的改变对所制备GaN纳米结构形貌特征的影响.对两种GaN纳米材料的拉曼散射光谱进行了分析。
GaN是一种直接宽带隙半导体，室温带隙宽约为3.4eV.以GaN为代表的第3代半导体材料，具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、热稳定性好、耐高温性能好，在室温下不溶于水、酸、碱，化学稳定性好，导热性和机械性能好等优良性能【1～6】，是制造抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件的理想材料，也是制造高亮度蓝、绿光发光二极管(LED)和激光二极管(LD)等光发射器材的优质材料【7，8】.至少在过去30年中，发展蓝光、绿光半导体光发射器，一直是学术界和工业界努力的方向之一.因为这种发射器在包括照明、信号指示、平板显示、彩色复印、彩色扫描、光数据存储以及制药等领域有广泛的应用，拥有巨大的市场潜力。
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