波兰Top GaN公司制作GaN单晶衬底
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上传人：Tom 上传时间： 2004-07-12 浏览次数： 172 |
TopGaN采用相当极端的生长条件制作GaN单晶衬底，它采用15000atm压力和1600摄氏度的高温。每次可以生产20-30片直径为10mm的晶片，其位错密度只有大约100cm-2。该项技术并不是为了生长大批量的外延片，而是用于某些特殊用途，例如腔为15 µm x 500 µm，功率为1.89 W的激光二极管已经由该衬底做出，目前是功率最大的氮化物激光二极管。然而，TopGaN还不能将这种技术扩展到2英寸片。作为替代，它开始用MOVPE技术在2英寸蓝宝石衬底上生长5um厚的GaN层，采用侧向外延(ELOG)技术。
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