硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制
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上传人：陈松岩、曾明刚、王水菊、陈谋智、蔡加法、林爱清、邓彩玲 上传时间： 2013-05-14 浏览次数： 39 |
| 作者 | 陈松岩、曾明刚、王水菊、陈谋智、蔡加法、林爱清、邓彩玲 |
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| 单位 | 厦门大学 |
| 分类号 | TN383 |
| 发表刊物 | 《厦门大学学报(自然科学版) 》 |
| 发布时间 | 2003年 |
摘要：用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用XRD、XPS技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差异,掺入的稀土元素铒呈三价,电致发光谱为Er3+的发光谱线,硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼容。
在硅衬底上生长发光器件对探索光电子集成技术有非常重要意义[1～4 ] . II2VI 族半导体发光材料(如硫化锌等) 与硅材料的晶格匹配好,失配度仅为0. 4 % ,II2VI 族是直接带隙的发光材料,可以发射从可见到近红外波长的光线,在硅衬底上生长硫化锌发光器件,容易实现与硅电子器件集成技术的兼容,同时硫化锌薄膜发光器件具有驱动电压低、耗电省、亮度高、寿命长、稳定性好、成本低等优点,正日益诱发人们的研究兴趣[5～9 ] . 本文应用双舟热蒸发技术在硅衬底制备硫化锌电致发光薄膜器件,采用X 射线衍射、X射线光电子能谱、电致发光谱分析技术,对硫化锌粉、发光薄膜等的微观结构和电致发光谱进行了研究,获得了一些有益的成果,证实硅衬底上的硫化锌薄膜发光器件具有优越的性能.
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