GaN基大功率白光LED的高温老化特性
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上传人：周舟、冯士维、张光沉、郭春生、李静婉 上传时间： 2013-03-29 浏览次数： 48 |
| 作者 | 周舟、冯士维、张光沉、郭春生、李静婉 |
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| 单位 | 北京工业大学电子信息与控制工程学院 |
| 分类号 | TN312.8 |
| 发表刊物 | 《发光学报》 |
| 发布时间 | 2011年 |
摘要：对大功率GaN基白光LED在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的I-V特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原因可归结为芯片欧姆接触的退化及芯片材料中缺陷密度的提高。样品的热特性变化显示出各结构层热阻均明显增大,这是由散热通道上各层材料的老化及焊料层出现大面积空洞引起的。分析表明,高温老化过程中芯片和封装材料的退化共同导致了LED的缓变失效。
1引言半导体照明是近年来全球最具发展前景的高新技术之一,随着以GaN为代表的第三代半导体材料的兴起,产品光效的迅速提升,蓝光和白光发光二极管(LED)的大规模量产,其在照明领域的广泛应用已逐渐实现[1]。2010年,Cree公司的白光LED的实验室光效已提高到208 lm/W,而光效为132 l
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