具有纳米凹坑氧化铟锡的LED光提取效率的提高
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上传人：郑怀文、张逸韵、杨华、薛斌、吴奎、李璟、王国宏 上传时间： 2013-03-19 浏览次数： 68 |
摘要: 由于低的光提取效率，氮化镓基发光二极管的应用受到了限制。氧化铟锡—氮化镓界面的光的全反射作用是造成低的光提取效率的重要原因。人们提供了多种方法来提高光提取效率。本文揭示了一种简单并且经济的方法。通过自组装和干法刻蚀的方法制作粗化的氧化铟锡薄膜。运用原子力显微镜(AFM)对表面形态和粗糙程度进行观察。测量各个样品的I-V特性、出光功率和出光辐射图并进行对比。刻蚀之后，在ITO表面形成了圆柱体和凹坑结构，它们的高度随着刻蚀时间增大。结果显示，LED的出光功率和随着刻蚀时间的增加而增加。由于圆柱体和凹坑结构的形成以及它们深度的增加，ITO-GaN界面的光的全反射减少了。因此，出光率提高。
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1. Introduction
2. Experimental methods
3. Results and discussion
4. Conclusion
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