ZnO/ZnMgO 单量子阱室温发光性质的研究
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上传人：王彦杰，张世著，何海平，叶志镇 上传时间： 2013-01-21 浏览次数： 64 |
| 作者 | 王彦杰，张世著，何海平，叶志镇 |
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| 单位 | 浙江大学硅材料国家重点实验室 |
| 分类号 | TN304, O484.1 |
| 发表刊物 | 未知 |
| 发布时间 | 2012年 |
摘要：本文采用脉冲激光沉积技术，在Si(111)衬底上生长了不同阱宽的ZnO/ZnMgO 单量子阱。室温下，对于不同阱宽的ZnO/ZnMgO 单量子阱样品均观测到阱层激子光致发光现象。随着阱层宽度的减小，发光峰位出现蓝移，这是由于量子约束效应引起的。采用一维有限深势阱模型，对于阱宽与激子能量的关系进行了理论计算，并与实验值进行比较，二者吻合得较好。室温下观察到ZnO/ZnMgO 单量子阱的量子约束效应，这说明生长的单量子阱有良好的界面和结晶性质。
0、引言
1、实验部分
2、实验结果与分析
3、结论
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