MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜
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上传人：程海英,王立,方文卿,蒲勇,郑畅达,戴江南, 江风益 上传时间： 2011-10-18 浏览次数： 129 |
| 作者 | 程海英,王立,方文卿,蒲勇,郑畅达,戴江南, 江风益 |
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| 单位 | 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 |
| 分类号 | O484.1 |
| 发表刊物 | 南昌大学学报(理科版) |
| 发布时间 | 2006年06期 |
ZnO是一种新型的II-VI族直接带隙宽禁带半导体材料,其室温禁带宽度为3.37 eV、激子束缚能为60 meV,在紫外探测器、短波长光电器件等应用上具有很大的潜能[1-3]。ZnO薄膜的室温光泵近紫外受激发射现象的报导[4-6],掀起了半导体发光材料领域的研究热潮。在ZnO材料的外延制备中其……
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