由于LED具有电光转换效率高、寿命长和节能环保等优点,以GaN基LED为主的半导体照明近年来发展非常迅猛,各种应用层出不穷,当前在全球能源紧张和 “节能减排”的大环境下,国家非常重视。但这也给LED芯片提出了更高的标准和要求,GaN基LED虽经过了近20年的研究和发展,但仍存在一些问题,主要是电光转换效率还需要进一步提高,芯片成本需不断降低等问题,如何系统地设计一个性能良好的大功率LED芯片是一个很有价值的研究课题。

　　本文全面地研究了GaN 基大功率LED 的芯片设计，主要分为两个部分，一是芯片结构的设计以提高取光效率，二是芯片电极的设计以获得良好的电流注入和电流密度分布，并最后在实验中得到了一些证实。

　　本论文所做的工作主要有：

　　(1) 基于光线追迹的方法，全面地分析了正装芯片、倒装芯片和垂直芯片三种典型LED 芯片的取光效率及其潜力，并系统地分析了四种提高LED 芯片取光效率的有效途径。设计了两种有特定沟槽的LED 芯片结构，并在模拟分析中证实了其可以有效地提高LED 芯片的取光效率，提升比例最高可达到100%以上。

　　(2) 利用软件SimuLED，较全面地分析了LED 芯片电流扩展的基本情况，特别是电极图案与芯片电流密度分布的关系，以及不同的电流密度分布对芯片电光性能的影响，得出了一些大功率LED 芯片电极设计的基本原则。基于上述的基本原则，为本文设计的有特定沟槽的LED 芯片制定了相应的电极方案。

　　(3) 通过一整套芯片制作工艺，先后研制了两套芯片，并测试了芯片的结构特征和电光性能，并与模拟结果对比分析了其中的问题，讨论了下一步需要继续改进的地方。

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