蓝宝石衬底上GaN/Al_xGa_(1-x)N超晶格插入层对Al_xGa_(1-x)N外延薄膜应变及缺陷密度的影响
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上传人：周绪荣,秦志新等 上传时间： 2011-09-02 浏览次数： 192 |
| 作者 | 周绪荣,秦志新,鲁麟,沈波,桑立雯,岑龙斌,张国义,俞大鹏,张小平 |
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| 单位 | 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学电子显微镜实验室 |
| 分类号 | O474 |
| 发表刊物 | 发光学报 |
| 发布时间 | 2008年04期 |
引言
室温300 K下,由于A xlGa1-xN的带隙宽度可以从GaN的3.42 eV到A lN的6.2 eV之间变化,截止波长可以从A lN的200 nm到GaN的365nm之间连续可调。所以A lxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的半导体材料。A xlGa1-xN基紫外光探测器可以用于空间探测、导弹预警等……
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