蓝宝石衬底上gan/al_xga_(1-x)n超晶格插入层对al_xga_(1-x)n外延薄膜应变及缺陷密度的影响

gan/alxga1-xn超晶格插入层技术是释放应力和减少alxga1-xn薄膜中缺陷的有效方法。研究了gan/alxga1-xn超晶格插入层对gan/蓝宝石上alxga1-xn外

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