站内搜索
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
gan/alxga1-xn超晶格插入层技术是释放应力和减少alxga1-xn薄膜中缺陷的有效方法。研究了gan/alxga1-xn超晶格插入层对gan/蓝宝石上alxga1-x
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01
来自维易科公司的关于《外延mocvd基本原理及led各层结构》的技术资料，现在分享给大家。
https://www.alighting.cn/2013/3/5 11:54:13
在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长gan材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
对后续外延层的结晶质量具有重要的影响,这也解释了algan表面形貌的形
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48
外延也称为外延生长，是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程，就是在单晶(或化合物)衬底材料上淀积一层薄的单晶(或化合物)层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。
https://www.alighting.cn/2014/5/19 10:52:36
外延片生长是指：在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。
https://www.alighting.cn/resource/20101231/128112.htm2010/12/31 10:57:06
利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(mocvd)在蓝宝石衬底上生长gan时,gan低温缓冲层的生长压力对高温生长gan外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫
https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58
利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
led 工作原理可知，外延材料是led 的核心部分，事实上，led 的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。
https://www.alighting.cn/2013/3/22 13:51:32
