深度评测:挖掘蓝海市场 红外芯片性能能否堪当大任
摘要: 晶元光电持续热推的型号ES-SASFPN42D红外芯片产品,曾“创下全世界发光效率最高的实验室纪录”而引发关注,最近我们拿到20个该型号样品,为一探究竟,我们将样品纳入这一期的测试与评估。并特别邀请佛山市香港科技大学LED-FPD工程技术研究开发中心作为第三方检测机构对样品参数和性能进行检测。
伏安特性曲线
随机抽取 5 个样品进行伏安特性测试,结果如图 4 所示。
图4 伏安特性曲线
LED的性能可用其伏安特性来描述。图中曲线反映了电压与电流变化的关系,在施加正向电压较小时,电流变化也很小,几乎为零,当超过1.2V时,随着电压升高,电流迅速增大,变化幅度加大,呈指数曲线关系,达到1.5V电压状态下,工作电流达到350mA。
当超过“死区电压”之后,电压变化很小的情况下,电流变化很大。业界一般认为,大功率LED工作电流为350mA,在需要进行恒流电路供电的状态下应该考虑LED的过电流问题。当然,从曲线来看,样品在一定电压范围内,电流处于工作范围内,这对于LED的降低功耗和减少老化周期具有相当意义。
光色电性能的温度变化特性
在远方 0.3m 积分球的基础上配备专用水冷控温夹具(图 5),可测试样品在不同温度下的光色电参数的变化。该测评产品的光色电参数结果如图 6~图 9 所示。
图5 0.3m 积分球(配有专用水冷控温夹具)
1)正向电压-温度变化特性(@ 350mA)
图6 正向电压-温度变化曲线
2)辐射功率维持率-温度变化特性(@ 350mA):
图7 辐射功率维持率-温度变化曲线
3)电光转换效率-温度变化特性(@ 350mA):
图8 电光转换效率-温度变化曲线
4)峰值波长及半波宽-温度变化特性(@ 350mA):
图9 峰值波长及半波宽-温度变化特性
由图 7 与图 9 可以看出,该款产品在 20℃到 80℃的温度变化下,辐射功率衰减了9%左右,衰减率约为 0.15%/℃;峰值波长随温度升高产生红移,变化率约为 0.23 nm/℃。
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