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日试制出全球最高输出功率的深紫外线LED元件

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2013-01-17 作者: 来源:日经技术在线 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 东京农工大学应用化学系纐缬明伯教授及熊谷义直副教授的研究小组与德山(TOKUYAMA)共同试制成功了全球最高输出功率的深紫外线LED。顺电流为150mA时,输出功率为20mW,外部量子效率为3.0%。德山将在2013年内展开用户评测,力争2015年度之前实现业务运作。目标是在医疗、水净化及食品领域取代杀菌用汞灯。

  东京农工大的研究小组确立了利用自主开发的氢化物气相外延(HVPE)法使高纯度的AlN结晶高速生长的方法,并通过农工大技术转移机构(TLO)在日美申请了基本专利。而北卡罗来纳州大学和HexaTech公司确立了深紫外光不会透过,但可利用能使低缺陷密度AlN生长的升华法来制造种晶的技术。

  利用AlN结晶实现短波长化(本图引自东京农工大和德山的发表资料)

  AlN单结晶基板的制造(本图引自东京农工大和德山的发表资料)

  HVPE法AlN单结日基板的制造(本图引自东京农工大和德山的发表资料)

  260nm波段深紫外线LED的制造(本图引自东京农工大和德山的发表资料)

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