东芝发布硅基氮化镓LED产品规格书
摘要： 新型硅上氮化镓(GaN-on-Si)几款产品的规格书都给出的是350mA驱动电流下的测试数据。在典型正向电压为2.9V时，色温5000K，显色指数为70的TL1F1-NW0,L光效为110 lm/W，而同样为5000K，显色指数升高到80的TL1F1-NW1，L光效则降低到94 lm/W。另外两款产品，3000K的TL1F1-LW1,L和4000K的TL1F1-WH1,L显色指数都为80，光效也都达到84 lm/W。
东芝在2012年12月中旬宣布已经开发出一种在200mm硅晶圆上制造氮化镓LED的工艺，通过采用新型硅上氮化镓(GaN-on-Si)技术来生产LED芯片，并且已准备开始量产。公司日前发布了现行产品的规格书，包括一款色温3000K，一款色温4000K及两款色温5000K的LED产品。
几款产品的规格书都给出的是350mA驱动电流下的测试数据。在典型正向电压为2.9V时，色温5000K，显色指数为70的TL1F1-NW0,L光效为110 lm/W，而同样为5000K，显色指数升高到80的TL1F1-NW1，L光效则降低到94 lm/W。另外两款产品，3000K的TL1F1-LW1,L和4000K的TL1F1-WH1,L显色指数都为80，光效也都达到84 lm/W。
规格书还显示了新LED产品的最大额定值。连续驱动电流最大为800mA，而脉冲时最大可达1A。最高功率损耗为2.9W。当使用最高功率时产品光通量可接近加倍。
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