科锐开发出直径150mm的n型4H-SiC外延晶圆
摘要: 美国科锐公司(Cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4H的n型SiC外延晶圆,此次开发的晶圆厚100μm,可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。
美国科锐公司(Cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4H的n型SiC外延晶圆(英文发布资料),适用于制造功率半导体、通信部件及照明部件等。
此次开发的晶圆厚100μm,可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。开发品具有足够的均质性,可以稳定供货,目前已开始销售。科锐在100mm(4英寸)SiC晶圆方面也有着良好的销售业绩,今后将继续致力于SiC晶圆的大口径化。
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