科锐升级供GaN-on-SiC HEMT器件的工艺设计套件
摘要： 科锐无线射频(RF)及微波部门总监 Jim Milligan表示：“最新的 PDK 能够帮助无线射频设计工程师，通过采用安捷伦公司2011年发布的 ADS(一款业界领先的电子设计自动化工具)，以实现科锐碳化硅衬底氮化镓 MMIC 加工性能。
科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布升级一款先进的工艺设计套件(PDK)，该款 PDK 基于安捷伦公司的 Advanced Design System(ADS)软件，能够为微波和无线射频设计工程师提供研发碳化硅衬底氮化镓(GaN-on-SiC)HEMT 器件的一整套设计和仿真工具。
该款 PDK 结合了安捷伦公司最新版的 ADS 以及科锐碳化硅衬底氮化镓加工技术参数和设计规则，以帮助工程师缩短单片微波集成电路(MMIC)的研发时间。
科锐无线射频(RF)及微波部门总监 Jim Milligan表示：“最新的 PDK 能够帮助无线射频设计工程师，通过采用安捷伦公司2011年发布的 ADS(一款业界领先的电子设计自动化工具)，以实现科锐碳化硅衬底氮化镓 MMIC 加工性能。这种前后端集成的设计系统能够提供高精确度且可扩展的非线性模型、参数化布局单元格、设计规则检查、无缝布局互操作性以及有效地设计周期，从而加速客户产品的上市进程。”
安捷伦 EEsof EDA 工厂项目经理 Juergen Hartung 表示：“通过此款联合发布的PDK，安捷伦和科锐共同的客户能够同时获得科锐先进的碳化硅衬底氮化镓 MMIC 加工技术以及安捷伦的集成设计系统，并凭借此优势生产出可应用于时下最具挑战性应用领域中的可靠且领先的高功率 HEMT 器件。”
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