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科锐推出突破性GaN基固态放大器平台

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2012-07-11 作者:LEDth 来源:新世纪LED网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: Tom Dekker 表示:“与同频率范围的 GaAs 电晶体相比,科锐0.25微米GaN HEMT裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效率的综合功率方案,从而提升固态功率放大器在 C 波段、X 波段以及 Ku 波段的性能。”

  【新世纪LED网讯】2012年7月11日,科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率与频宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化矽衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管,从而提高效率和可靠性。

  科锐无线射频销售与市场总监 Tom Dekker 表示:“与同频率范围的 GaAs 电晶体相比,科锐0.25微米GaN HEMT裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效率的综合功率方案,从而提升固态功率放大器在 C 波段、X 波段以及 Ku 波段的性能。”

  主要的市场应用包括航海雷达、医疗成像、工业及卫星通信等领域。与 GaAs 电晶体相比,固态放大器具有更高的可靠性、更低的成本以及更卓越的效率,并且能够缩小功率放大器和电源的体积。GaN HEMT 功率放大器的高效率能够有效地降低发射机的功率消耗。

  科锐无线射频业务发展经理 Ray Pengelly 表示:“科锐0.25微米GaN HEMT产品拥有突破性的性能,效率和频宽的显著提高实现了GaAs电晶体所不能达到的电晶体性能水准。例如,开关模式的高功率放大器(HPA)能够在微波频率段提供超过80%的功率附加效率。在功率超过10W时,GaN HEMT HPA 的暂态频宽可达6至18GHz。0.25微米 GaN 产品所提供的卓越性能使得系统工程师能够重新设计 GaAs 电晶体和行波管。”

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