三安在化合物半导体领域的布局

　　定增募集资金投向化合物半导体项目

　　公司2015年公布定向增发，募集资金投入到厦门光电产业化(二期)项目及通讯微电子器件(一期)项目。

　　据公司最新定期报告，化合物半导体业务已有多家客户参与试样验证，部分芯片已通过性能验证，部分客户已开始少量出货。公司2016年三安集成实现1725.96万元销售收入，公司后续将尽快完成其他产品的认证，加快新设备采购进度，加快并购步伐并尽快落实项目，提升核心竞争力和盈利能力。

　　联手大基金做大做强

　　2015年6月，三安集团将福建三安持有的三安光电2.17亿股股份(约占总股本的9.07%)转让给集成电路产业基金，转让总金额为48.39亿元，同年12月集成电路产业基金通过非公开发行拟投入16亿用于通讯微电子器件(一期)项目，以GaAs和GaN等III-V族半导体为核心打造集成电路产业。至此，国家集成电路产业基金正式成为公司的第二大股东。产业基金的入股，表明三安光电的技术实力和产品能力得到了认可，同时也奠定了未来三安光电在化合物半导体领域的产业龙头地位。

　　融资实力得到大幅提升，2016年公司与国开行共同签署《开发性金融合作协议》，《合作协议》通过并购贷款、项目贷款，集团统借等方式与公司更加深度的合作，并且也拉开了国开行300 亿资金重点布局LED芯片、集成电路等领域的序幕。受到了注资的三安，能有更多的余力实现并购或者项目拓展，表现值得期待。

　　与GCS合作共赢

　　2016年11月，公司与GCS成立合资公司——厦门三安环宇集成电路有限公司，其中三安光电出资204万美元，占比51%。GCS拥有先进成熟的生产工艺技术，没有足够的产能;三安光电则处于工艺的摸索阶段，有先进的设备和足够的产能。两者结合可以以迅速提升公司在射频通讯和光通讯元件技术水平和专利平台的构筑，广阔的客户网络与公司现有业务技术与产能形成互补，为公司集成电路开拓海内外市场提供强有力保障，有利于加快公司集成电路业务的发展进程，扩大业务范围及规模，提高公司盈利水平，提升公司核心竞争力。

　　为服务RFIC/MMIC行业，GCS提供广泛的III-V族化合物半导体制程技术组合，包括GaAs PHEMT、GaN HEMT等制程技术，以提升客户产品性能和市场竞争力。公司的GaAs PHEMT工艺可以制作低成本手机开关、高达40GHz的功率放大器芯片(PA)、低噪声放大器芯片(LNA)等。此外，硅基氮化镓射频功率放大器(RF PA)的制程技术也已经通过大批量生产所需的验证。

　　GCS正在开发氮化镓制程技术，以供功率电子的应用，诸如太阳能逆变器、风力发电机、traction、不断电的电力供应器(UPS)、马达驱动及混合电动车/全电动汽车。　

　　GaN功率电子的工艺技术为0.5um的制程，包括Si基GaN技术和SiC基GaN技术两种。相比较而言，Si基GaN产品成本更低，而SiC基GaN产品性能更好。

　　我们认为，伴随着LED芯片行业产能逐渐出清，行业集中度正在快速提升，行业供需存异推进价格理性、三安作为行业龙头将充分享受寡头红利。未来两年公司LED业务将持续享受市场高景气下订单与价格的双重利好。

　　化合物半导体将打开公司未来新的成长空间，全球范围内5G、军工、功率电子等领域对于砷化镓/氮化镓器件的需求正在迅速增加，三安光电依托大基金，在人才、技术和产能上快速积累，有望迅速做大做强，成为化合物半导体领域的台积电。

　　三安光电基本面不断给市场以惊喜，在行业供需格局的加持与公司自身不断进步之下，我们看好未来三安成为全球芯片业巨头的实力，一季度的高增长将只是一个起点，因此我们持续重点推荐，并上调盈利预测至2017-2019年EPS分别为0.72、0.93、1.15