POWDEC 发表了利用GaN类半导体新二极管SBD
2010-12-03
作者：未知
来源：ledinside
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摘要： 近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业POWDEC，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管（SBD），预估2012年前量产。
近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业POWDEC，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管(SBD)，预估2012年前量产。
该二极管是面向逆变器电路及功率因数校正电路等功率用途的产品，耐压可确保在600V以上。其特点在于，在利用GaN类半导体的情况下，仍可低成本制造。POWDEC认为「原则上有望以相当于LED的低成本制造」。该公司表示，通过使用蓝宝石基板，降低制造成本已有了眉目。(编辑：ZQY)
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