10月26日，科技部网站发布《国家高技术研究发展计划(863 计划)新材料技术领域“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目申请指南》。

　　国家高技术研究发展计划(863计划)

　　新材料技术领域“高效半导体照明关键材料技术研发”

　　重大项目申请指南

　　10月26日，科技部网站发布《国家高技术研究发展计划(863 计划)新材料技术领域“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目申请指南》。指南称，研究开发高效节能、长寿命的半导体照明产品是《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年) 》优先主题的重要内容。“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目“十二五”的战略目标是：以打造半导体照明产业核心竞争力为目标，以提高自主创新能力为关键，以改善产业发展环境为手段，通过自主创新，突破白光普通照明核心技术和产业化关键技术，完善技术创新体系，培育科技创新领军人才和创新团队，建立特色产业基地，形成具有国际竞争力的半导体照明战略性新兴产业。

　　国家高技术研究发展计划(863 计划)新材料技术领域“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目分解为十五个研究课题，公开发布课题申请指南，本次发布的课题申请国拨经费控制额为 30000万元。

　　在阅读本申请指南之前，请先认真阅读《国家高技术研究发展计划(863计划)申请须知》(详见科学技术部网站国家科技计划项目申报中心的863计划栏目)，了解申请程序、申请资格条件等共性要求。

　　一、指南说明

　　研究开发高效节能、长寿命的半导体照明产品是《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》优先主题的重要内容。“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目“十二五”的战略目标是：以打造半导体照明产业核心竞争力为目标，以提高自主创新能力为关键，以改善产业发展环境为手段，通过自主创新，突破白光普通照明核心技术和产业化关键技术，完善技术创新体系，培育科技创新领军人才和创新团队，建立特色产业基地，形成具有国际竞争力的半导体照明战略性新兴产业。

　　本项目分解为十五个研究课题，公开发布课题申请指南，本次发布的课题申请国拨经费控制额为30000万元。

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　　二、指南内容

　　课题1、大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术

　　课题研究目标：

　　掌握高内量子效率的Si基LED蓝光和绿光外延材料生长技术，开发出高光提取效率的Si基LED芯片制造和封装的规模化生产技术，促进Si基功率型(驱动电流为350mA)LED器件进入普通照明领域。

　　课题主要研究内容：

　　(1)Si衬底氮化物材料异质生长技术及器件制备技术;

　　(2)4英寸及以上Si基LED蓝光和绿光外延材料生长技术;

　　(3)功率型Si衬底LED芯片制备、封装技术和产业化生产技术。

　　课题主要考核指标：

　　(1)功率型绿光LED每瓦光输出功率、功率型蓝光LED器件每瓦光输出功率、功率型白光LED器件达到同期国际先进水平。

　　(2)功率型白光LED器件光效产业化水平不小于110 lm/W，芯片成本≤0.7元/W;光衰达到国际先进水平;

　　(3) 建立年产千万只以上功率型Si衬底LED芯片与封装生产线。

　　(4)申请一批发明专利，形成一批国家标准。

　　课题支持年限:

　　2011年1月至2013年12月。

　　本课题拟支持国拨经费控制额为6000万元，自筹经费不低于国拨经费。

　　课题2、LED外延生长用SiC衬底制备技术研究

　　课题研究目标：

　　掌握高质量SiC单晶的生长、切割和晶片加工技术;开发出SiC衬底的制备技术，支撑外延技术开发;建立SiC衬底产业化生产线。

　　课题主要研究内容：

　　(1)3?4英寸高质量SiC单晶生长技术;

　　(2)规模化衬底生产的切、磨、抛等处理工艺;

　　(3)SiC衬底的表面洁净技术。

　　课题主要考核指标：

　　(1)SiC晶体可使用面积>90%;

　　(2)衬底表面的粗糙度、双晶衍射摇摆曲线半高宽达到同期国际先进水平;衬底表面适合于GaN基LED的外延工艺要求;

　　(3)建立年产万片以上的SiC衬底生产线。

　　(4)申请一批发明专利。

　　课题支持年限：

　　2011年1月至2013年12月。

　　本课题拟支持国拨经费控制额为1500万元，自筹经费不低于国拨经费。

　　课题3、GaN同质衬底及外延生长技术研究