比利时研究中心：降低氮化鎵技术成本，推动氮化鎵技术发展
摘要： 比利时研究中心（IMEC）推出一项联合开发计划（IIAP：industrial affiliation program），目标是降低氮化鎵（GaN）技术成本，采用大直径的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）。
比利时研究中心(IMEC)推出一项联合开发计划(IIAP：industrial affiliation program)，目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本，采用大直径的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)，并开发高效率、大功率白光LED，致力于推动氮化鎵技术的发展，包括功率转换和固态照明(SSL)应用。
IMEC：蓝宝石上的绿光 LED
IMEC GaN项目总监Marianne Germain表示，采用大直径的硅芯片(尺寸从100mm到150mm，再增至200mm)与CMOS兼容程序相结合，可创造经济上可行的解决方案。就固态照明而言，IIAP计划的一部分是，将运用硅基氮化鎵技术来开发高效率、大功率白光LED。该计划的目标包括改善内部与外部量子效率，并实现高电流作业。
IMEC表示，III族氮化物具备卓越的发光特性，并具有广泛的可见光与紫外光谱。然而，如果采用新型批量制造技术，开发出光效可达150lm/W的LED，那麼，使用这些设备开发出的LED才能被广泛接受。
IMEC还将邀请集成设备制造商与化合物半导体行业共同加入该计划。(编辑：XGY)
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