2008年7月31日至8月6日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟、北京大学及国家自然科学基金委共同主办的“2008宽禁带半导体物理与器件暑期学校”在美丽的海滨城市—大连举行。国家自然科学基金委信息部张兆田主任，北京大学宽禁带半导体研究中心主任张国义教授、大连路明科技集团肖志国总裁以及来自国内外的专家学者等出席了此次暑期学校活动。

　　暑期学校特邀十位来自美国亚利桑那州立大学、堪萨斯州立大学、加州大学伯克利分校、佛罗里达大学、北卡来罗莱州立大学以及日本东京大学、名古屋大大学和名城大学的知名教授授课，美国Vecco公司的专家也参与了讲学。围绕禁带半导体学术研究前沿及产业化生产的关键技术，以及国际上在III-族氮化物半导体材料光电器件领域的最新研究成果和发展趋势，共安排了十七个报告。内容涵盖宽禁带半导体材料、器件和物理，介绍相关的基本原理、关键技术和最新研究成果。包括GaN基深紫外LED和探测器，GaN基高功率LED和LD，GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)及应用，GaN基稀磁半导体和自旋电子学，GaN基材料MOCVD生长技术，GaN基LED芯片和封装技术，GaN基LED照明应用技术，以及其它宽带隙半导体材料和器件等热点问题。学员们说：这些精彩的报告让人耳目一新，大开眼界，更重要的是扩宽了思路，开放了思维，启发极大，为今后的研究提供了可直接借鉴的重要方法和宝贵经验。

　　此次暑期学校按照国际学术会议的模式举办，会议和讨论语言均采用英语，还安排了专题讨论会，由授课教授主持，学员们踊跃提问，积极参与，气氛十分活跃，受到所有国外知名学者的高度称赞。学员们认为“与相关研究领域的国外知名教授学者面对面进行交流，聆听大师们的教诲，是一次十分难忘的经历。”他们普遍反映“参加此次暑期学校为今后参加国际学术会议积累了经验，增强了与国外研究者无障碍交流的信心，这也是平常参加国内会议难以做到的。”