「氮化鎵-MOCVD深紫外LED材料生长设备」在青岛研制成功
2008-04-14
作者：未知
来源：中国半导体照明网
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摘要： 中国国家「863」半导体照明工程重点专案「氮化鎵-MOCVD深紫外LED材料生长设备」制造取得重大突破，研制成功了大陆首台具有自主知识产权的、能够同时生长6片LED外延片的MOCVD设备。
据悉，中国国家「863」半导体照明工程重点专案「氮化鎵-MOCVD深紫外LED材料生长设备」制造取得重大突破，研制成功了大陆首台具有自主知识产权的、能够同时生长6片LED外延片的MOCVD设备。
此项项目由青岛杰生电气有限公司承担。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、电脑多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，在高亮度的蓝光发光二极体(LED)、雷射器(LD)、紫外光电探测器、高效率太阳能电池、高频大功率电子器件领域中具有广泛应用，是半导体照明产业上游阶段关键设备。(编辑：XGY)
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