张国义：竖直结构芯片制备技术动态
2008-01-25
作者：
来源：中国半导体照明网
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摘要： 1月24日，由中国半导体照明工程研发及产业联盟主办，由中科院半导体照明研发中心承办的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”在中国科学院半导体研究所学术会议中心胜利召开。会上，北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授做了题为《竖直结构芯片制备技术动态》的报告。
1月24日，由中国半导体照明工程研发及产业联盟主办，由中科院半导体照明研发中心承办的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”在中国科学院半导体研究所学术会议中心胜利召开。会上，北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授做了题为《竖直结构芯片制备技术动态》的报告。
在报告中，张国义教授分析了竖直结构的优点及实现方法;深入阐述了激光剥离技术的优点、几种转移衬底方法及提高竖直结构LED性能的器件设计方案;并介绍了北京大学宽禁带半导体研究中心竖直结构技术现状、国外的技术情况及未来技术趋势。（编辑:FJ）
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