闫发旺：图形蓝宝石衬底及其MOCVD外延生长
2008-01-25
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来源：中国半导体照明网
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摘要： 1月24日，由中国半导体照明工程研发及产业联盟主办，由中科院半导体照明研发中心承办的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”在中国科学院半导体研究所学术会议中心胜利召开。
1月24日，由中国半导体照明工程研发及产业联盟主办，由中科院半导体照明研发中心承办的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”在中国科学院半导体研究所学术会议中心胜利召开。会上，中科院半导体研究所闫发旺研究员做了题为《图形蓝宝石衬底及其MOCVD外延生长》的报告。
在报告中，闫发旺研究员通过图形衬底及侧向外延技术的对比，揭示了图形衬底技术的优势与研究必要性;详尽介绍了中科院半导体研究所图形衬底技术进展与结果：已掌握基础关键技术、申请五项专利，并在小功率芯片有突出成就;最后，他分析了该技术专业化开发的优势，提出已具备批量生产能力，且价格较台湾更具优势。（编辑:FJ）
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