由于LED技术的进步，LED应用亦日渐多元化，然而由于高功率LED输入功率仅有15至20%转换成光，其餘80至85%则转换成热，若这些热未适时排出至外界，那麼将会使LED芯片介面温度过高而影响发光效率及发光寿命。

　　随着LED材料及封装技术的不断演进，促使LED产品亮度不断提高，LED的应用越来越广，以LED作为显示器的背光源，更是近来热门的话题，主要是不同种类的LED背光源技术分别在色彩、亮度、寿命、耗电度及环保诉求等均比传统冷阴极管(CCFL)更具优势，因而吸引业者积极投入。

　　最初的单芯片LED的功率不高，发热量有限，热的问题不大，因此其封装方式相对简单。但近年随着LED材料技术的不断突破，LED的封装技术也随之改变，从早期单芯片的炮弹型封装逐渐发展成扁平化、大面积式的多芯片封装模组;其工作电流由早期20mA左右的低功率LED，进展到目前的1/3至1A左右的高功率LED，单颗LED的输入功率高达1W以上，甚至到3W、5W封装方式更进化。

　　由于高亮度高功率LED系统所衍生的热问题将是影响产品功能优劣关键，要将LED元件的发热量迅速排出至周遭环境，首先必须从封装层级(L1& L2)的热管理着手。目前业界的作法是将LED芯片以焊料或导热膏接着在一均热片上，经由均热片降低封装模组的热阻抗，这也是目前市面上最常见的LED封装模组，主要来源有Lumileds、OSRAM、Cree 和Nicha等LED国际知名厂商。

　　许多终端的应用产品，如迷你型投影机、车用及照明用灯源，在特定面积下所需的流明量需超过上千流明或上万流明，单靠单芯片封装模组显然不足以应付，走向多芯片LED封装，及芯片直接黏着基板已是未来发展趋势。