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高功率LED封装之金属封装基板

2007-11-12 作者:未知 来源:中国半导体照明网 浏览量: 网友评论: 0

摘要: 目前高功率LED的应用范围越来越广,随之而来的问题是当LED的输出功率较小时,可以使用传统FR4等玻璃环氧树脂封装基板,然而照明用高功率LED的发光效率只有20%~30%,且芯片面积非常小。

  高功率LED封装基板是利用环氧树脂系接着剂将铜箔黏贴在金属基材的表面,透过金属基材与绝缘层材质的组合变化,制成各种用途的LED封装基板。高散热性是高功率LED封装用基板不可或缺的基本特性,因此上述金属系LED封装基板使用铝与铜等材料,绝缘层大多使用高热传导性无机填充物(Filler)的环氧树脂。铝质基板是应用铝的高热传导性与轻量化特性制成高密度封装基板,目前已经应用在空调机的转换器(Inverter)、通讯设备的电源基板等领域,也同样适用于高功率LED封装。

  一般来说,金属封装基板的等价热传导率标准大约是2W/mK,为满足客户4W~6W/mK高功率化的需要,已经推出等价且热传导率超过8W/mK的金属系封装基板。由于硬质金属系封装基板主要目的是支援高功率LED封装,因此各封装基板厂商正积极开发可以提高热传导率的技术。硬质金属系封装基板的主要特徵是高散热性。高热传导性绝缘层封装基板,可以大幅降低LED芯片的温度。此外基板的散热设计,透过散热膜片与封装基板组合,还可以延长LED芯片的使用寿命。

  金属系封装基板的缺点是基材的金属热膨胀係数非常大,容易受到热迴圈冲击,如果高功率LED封装使用氮化铝时,金属系封装基板可能会发生不协调的问题,因此必须设法吸收LED模组各材料热膨胀係数差异造成的热应力,以此缓和热应力进而提高封装基板的可靠性。(编辑:XGY)

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