新日铁将投产高质量100mm底板抢夺Cree领地
2007-10-24
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来源：中国半导体照明网
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摘要： 继美国Cree之后的第二大SiC底板厂商何时出现?这是SiC半导体市场形成的关键”——众多SiC半导体的组件技术人员都这么认为。因为只要Cree独霸市场的状态持续，底板价格就很难降低。此次【ICSCRM】展示了直逼Cree的100mm(4吋)直径高质量底板，提高了在业界的知名度的就是新日本制铁。
“继美国Cree之后的第二大SiC底板厂商何时出现?这是SiC半导体市场形成的关键”——众多SiC半导体的组件技术人员都这么认为。因为只要Cree独霸市场的状态持续，底板价格就很难降低。此次【ICSCRM】展示了直逼Cree的100mm(4吋)直径高质量底板，提高了在业界的知名度的就是新日本制铁。
新日本制铁此次将直径为100mm的4H-SiC底板的微管(中空贯通缺陷)最低减少到了2个(演讲序号：Mo-2A-1)。微管的存在密度为0.03个/cm2。该公司将于2008年度投产这种高质量的100mm直径底板。另外还计划投产形成有外延SiC膜的直径100mm底板。另外，该公司将SiC底板的销售委托给了日本最大的硅晶圆厂商——信越半导体。（编辑：PCL）
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