美国大型SiC底板厂商科锐(Cree)在SiC国际学会“第七届碳化硅与相关材料欧洲会议(ECSCRM)”上，以“Defect Control in SiC Manufacturing”为题，就该公司的SiC底板特性发表了演讲(演讲号码：Tu3-2)。介绍了制造芯片时的成品率与结晶缺陷和中空贯通缺陷(微管)的关系，同时还公布了直径100mm(约4吋)底板上存在的各种位错密度。科锐已开始供应几乎没有微管的直径100mm“无微管”底板。

　　该公司以已投产的直径100mm的n型4H-SiC底板为例介绍了芯片成品率，对底板表面共有165个结晶缺陷的标准品和只有21个结晶缺陷的低缺陷产品等进行了比较。制作2mm见方芯片时的芯片成品率方面，标准品为94.1%、低缺陷产品为99.2%。芯片尺寸越大，标准品与低缺陷产品的成品率之差就越大，3mm见方芯片中，标准品为87.8%、低缺陷产品为98.2%，5mm见方芯片中，标准品为73.3%、低缺陷产品为95.8%。

　　另外，还以直径为100mm、n型4H-SiC底板上设有外延层的产品为例，通过外延层表面共有184个结晶缺陷的标准品和只有63个的低缺陷产品，比较了制作芯片时的成品率。2mm见方芯片的成品率方面，标准品为93.2%、低缺陷产品为98.1%。3mm见方芯片的成品率方面，标准品为85.5%、低缺陷产品为96.2%，5mm见方芯片的成品率方面，标准品为68.8%、低缺陷产品为90.8%。

　　微管密度和芯片成品率的关系是以微管密度仅为0.7个/cm2、直径为100mm的n型4H-SiC底板为例进行评估的。2mm见方、无微管的芯片成品率为96%、5mm见方为86%、10mm见方为65%。

　　此外，还公布了n型4H-SiC底板“1c dislocation”和“Basal Plane dislocation”等的各种位错密度。直径100mm的研发产品中，1c dislocation的错位密度平均为425个/cm2，直径约75mm(3吋)的研发产品为175个/cm2。Basal Plane dislocation方面，直径100mm的产品为1550个/cm2。(编辑：CBE)