Tokuyama公司启动AIXTRON MOCVD
2007-10-03
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摘要： 2007年10月2日，AIXTRON宣布AIX 200/4 RF-S MOCVD在日本的Tokuyama公司成功启动运行，该系统安装在Tokuyama的研发中心，用于AlGaN基紫外LED的开发和制造。
2007年10月2日，AIXTRON宣布AIX 200/4 RF-S MOCVD在日本的Tokuyama公司成功启动运行，该系统安装在Tokuyama的研发中心，用于AlGaN基紫外LED的开发和制造。
Tokuyama公司称紫外LED具有很大的工艺挑战性，但凭借着优越的工艺稳定性和1400°C的高温承受力，AIX 200/4 RF-S有能力提供最高质量的GaN和AlGaN层。在东京工业大学(Tokyo Institute of Technology)Aoyagi教授的协作下，Tokuyama公司对AIXTRON系统在这一应用的适用性做了评估和认证。另一台AIXTRON反应室的安装将加速GaN紫外LED材料和器件的开发进程。
注：Tokuyama公司是全球化学产品领先的开发制造商，其产品范围很广，包括电子行业使用的超纯多晶硅。Tokuyama公司还拥有世界上最大的AlN工厂，拥有高导热性能的AlN可用于大功率LED、LD等高温元器件。（编辑:PCL)
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