富士通研究员获得化合物半导体制造工艺最佳论文奖
2006-07-11
作者：
来源：ledinside
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摘要： 2006年7月6日，日本富士通的研究员Toshihide Kikkawa获得今年化合物半导体制造工艺(CS Mantech)的He Bong Kim奖(最佳论文奖)，奖金将在明年的CS Mantech 会议上颁发。
2006年7月6日，日本富士通的研究员Toshihide Kikkawa获得今年化合物半导体制造工艺(CS Mantech)的He Bong Kim奖(最佳论文奖)，奖金将在明年的CS Mantech 会议上颁发。
Kikkawa的论文(与Kenji Imanishi、 Masahito Kanamura、 和Kazukiyo Joshin合著)“量产高稳定性GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的最新进展”详述了GaN HEMT不同的失效机理并对如何加以预防进行了概述。文章还描述了富士通在缩减SiC 衬底GaN HEMT生产流程方面所取得的成就。（编辑：ZQY）
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