在夏威夷毛伊岛举行的第十二届MOVPE大会上， GaN基材料和器件成为讨论的热点。美国Lumileds公司的技术主管George Craford在开幕式的报告中，强调了MOVPE在半导体照明中的地位。通过MOVPE技术，Craford以柬埔寨安装的LED交通信号灯为例强调了半导体照明光源的全球影响性。

　　尽管Craford认为在衬底和生长工艺两方面都还需要进一步地改善，但对GaN基LED的技术前景表示乐观，他预测到2010年全世界的高效LED产能将达到500亿只，假设10%的传统光源市场被LED占领，并假设LED的寿命为10年。这就是说每年的2英寸LED外延片产能将为2500万片，换句话说将使用1000台生长设备，每台每天生长68片外延片才能够完成如此大的工作量。

　　同一会议上，美国Cree公司光电子技术主管John Edmond描述了深紫外LED光源的发展。John Edmond解释说，270～340nm波长范围内的半导体固态光源将会使荧光生物探测、紫外通信、水源净化和一些工业处理过程的技术得到发展。此外，他还表述了最佳化器件几何尺寸能提高出光率，并报道了工作电流为20mA时输出功率为1mW、峰值波长为340nm的UV-LED器件结果。

　　韩国三星高级技术研究所发表了另一种提高出光率的方法，通过使用一个波纹状界面的衬底，器件结果相对传统的UV-LED功率提高了60%，该技术使用了标准的光刻工艺和反应离子刻蚀工艺。

　　Si衬底在价格和大尺寸方面占有优势，但是也有一些缺陷，例如GaN外延层会由于Si和GaN热膨胀系数差异而发生弯曲和裂纹。英国剑桥大学的Matthew Charles提出使用AlN过渡层、AlGaN渐变层、AlN/GaN超晶格层以及SiN层来降低张应力和位错密度，以生长Si衬底上2～3µm厚的无裂纹GaN外延层。

　　Si衬底上AlGaN/GaN HEMT材料的生长由Emcore公司的Shiping Guo报告，使用Emcore特有的缓冲层技术，研究者能够制备适于HEMT结构生长的Si衬底上2µm厚的无裂纹缓冲层。

　　量子点(QD)结构和器件是这次会议另一个讨论的热点，许多研究小组使用了SK生长模式生长了应力诱导的自组织量子点结构。（编辑:FJ）