据美国市场调研公司Strategies Unlimited的分析数据，2001年世界GaN器件市场接近7亿美元，属于发展期。而据该公司预测，即使最保守发展，2009年世界GaN器件市场也要达到48亿美元的销售额。

　　因此谁能够在发光材料的研制和器件的制造工艺方面率先取得突破，谁就有可能在行业取得一定的主导地位。“从目前情况来看，我们与国外只有2—3年的差距，如果从现在开始抓紧，我们在光电子领域就一定能够有所作为。”吴玲女士指出。

　　据了解，北京大学、清华大学、中科院半导体所、中科院物理所，以及南昌大学、南京大学、长春物理所等科研机构，多年来一直从事GaN基蓝光材料和LED器件相关技术研究，使我国在这一领域已经有了一定的技术、人才和产业基础。更重要的一点是，当前在国际GaN蓝光材料和LED研究较先进的部门，相当数量的一线研究人员为我国留学人员，这将是我国发展GaN蓝光材料和LED的有利条件。

　　战略高度寻求突破

　　目前我国对这一新兴领域的发展非常重视。ZnSe基蓝绿光激光器材料与器件在“七五”和“八五”期间就得到了“863”计划、“攀登计划”、国家自然科学基金及其它基金的多方面支持；聚合物蓝光材料和LED已被列为国家自然科学基金“九五”重点项目；GaN基蓝光材料得到了“863”计划和自然科学基金的重点支持；SiC材料得到了国家自然科学基金的支持。国家“攀登”计划和国家自然科学基金还支持了其它一些蓝光材料的基础研究。

　　然而上述努力还远远不够，“落后于世界产业发展步伐给我们的教训已经足够深刻。正是由于我们没能在微电子发展早期及时进入，结果我们在以后的发展中缺乏核心技术和竞争力，这直接导致我国失去了在微电子领域的发展机会。”吴玲女士表示，“因此，我国氮化镓基(CaN)LED的发展还需要国家从战略的高度出发，对其发展专门进行立项，以使我国氮化镓基(CaN)LED能够在未来的世界产业发展中争取足够的话语权。”

　　而此次科技部高新司委托进行的重点调研，正是为了尽快设立“中国半导体照明产业发展战略研究”专项，显然也是希望国家能够从战略高度对我国半导体照明产业发展进行规范和加速。