缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响
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上传人：陈俊、张书明、张宝顺、朱建军、冯淦、段俐宏、王玉田、杨辉、郑文琛 上传时间： 2013-06-25 浏览次数： 189 |
| 作者 | 陈俊、张书明、张宝顺、朱建军、冯淦、段俐宏、王玉田、杨辉、郑文琛 |
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| 单位 | 四川大学材料科学系、中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 |
| 分类号 | TN304 |
| 发表刊物 | 《中国科学E辑:技术科学》 |
| 发布时间 | 2004年 |
摘要：利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时,GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明,缓冲层生长压力越大,GaN缓冲层退火后成核中心体积越小,表面粗糙度越大,高温生长GaN岛间合并延迟.X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测量结果表明,GaN缓冲层生长压力增大时外延的GaN结晶质量得到改善。
GaN基m族氮化物是最重要的宽带隙半导体材料之一,它们特有的优良光电性能和机械性能使其在蓝绿发光二极管、激光器、紫外探测器和高温大功率电子器件等领域有广泛的应用前景[’].目前普遍采用的GaN生长方法是在蓝宝石上进行异质外延.但是蓝宝石与GaN间存在较大的晶格失配(13一
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