利用三步法MOCVD生长器件质量的GaN
|
上传人：刘宝林 上传时间： 2011-09-09 浏览次数： 96 |
| 作者 | 刘宝林 |
|---|---|
| 单位 | 厦门大学物理系 |
| 分类号 | TN304.055 |
| 发表刊物 | 半导体光电 |
| 发布时间 | 2001年06期 |
引言
GaN及其化合物半导体由于其特殊的物理和化学特性 ,受到了学术界和产业界的广泛重视并已取得了较大的进展。由于采用MOCVD二步外延技术在Al2 O3衬底上生长高质量GaN的技术的突破[1] ,人们已成功地研制出高效的可见光波段和紫外光波段的光电器件……
最新评论
用户名： 密码：
