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中碳纳米管的结构完美、定向度高,密度在20根/μm左右.在生长过程中,保持基底表面干净是合成高密度定向阵列的关键,水在其中起到了关键的作用,同时,在基底表面被覆盖的区域,碳纳米管不
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127195.htm2011/9/5 14:58:35
jonathan harris表示，一种新型的氮化铝(ain)陶瓷技术，可以在为hb led提供足够的散热性能的同时，拉近其与氧化铝封装的价格点。
https://www.alighting.cn/resource/20140224/124830.htm2014/2/24 14:06:25
设计了一种新型透明led显示器，分别以玻璃与pet作为基底材料，研究制作了非柔性与柔性透明led显示器模块。
https://www.alighting.cn/2014/12/2 10:33:38
led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新材料。在短短数年内，借助于包括芯片结构、表面粗化处理和多量子
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/13/15102_42.htm2012/3/13 15:10:02
自从1968年第一批led开始进入市场以来,至今已有30多年。随着新材料的开发和工艺的改进，led趋于高亮化和全色化。氮化镓基底的蓝色led的出现，更是扩展了led的应用领域。
https://www.alighting.cn/resource/20081114/128823.htm2008/11/14 0:00:00
.04m，建筑基底面积为4901.26m。图纸包括插座，照明，应急照明，配电干线平面图以及动力箱和照明箱配电系统图，低压配电图。欢迎下载参
https://www.alighting.cn/resource/2008318/V423.htm2008/3/18 11:50:51
r)结构，改变led基底几何外形来改变光在led内部反射的路径和表面粗化处理以及新近的光子晶体技术和全息技术等。并对纳米压印与su8相结合技术在提高led外量子光效益方面进行了初步探
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
层(dbr)结构， 改变led 基底几何外形来改变光在led 内部反射的路径和表面粗化处理以及新近的光子晶体技术和全息技术等。并对纳米压印与su8 相结合技术在提高led外量子光效益方
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量5
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
发光二极管(led) 以其耗电量少、发光效率高、节能、环保等特点， 在现代照明中已经越来越占据主导地位。led 芯片产生的热量随着功率增加而增加， 使得基底温度升高， 所以散热问
https://www.alighting.cn/resource/2014/6/23/13258_56.htm2014/6/23 13:25:08
