摘要：发光二极管(LED)低的外量子效率严重制约了LED 的发展，本文主要介绍了提高GaN 基LED 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射层(DBR)结构， 改变LED 基底几何外形来改变光在LED 内部反射的路径和表面粗化处理以及新近的光子晶体技术和全息技术等。并对纳米压印与SU8 相结合技术在提高LED外量子光效益方面进行了初步探索。

　　20世纪90年代中期，日本日亚化学公司的Nakamura等人经过不懈努力突破了制造蓝光LED的关键技术。GaN基蓝色LED的出现，大大扩展了LED的应用领域，从此掀开了第三代半导体材料GaN基半导体照明的革命。这是继GaAs,InP等第二代半导体材料后出现的第三代新型半导体材料。作为一种化合物半导体材料，GaN材料具有许多Si基半导体材料所不具备的优异性能，具有禁带宽度大、高电子漂移饱和速度、导热性能好、化学稳定性高等优点,比较适合用于雷达、导弹、通信、潜艇、航空航天及石油、化工、钻探、核电站等领域的电子设备,对于抗辐射、耐高温、高频、微波、大功率器件,尤其是利用其大的禁带宽度制作的蓝色、绿色、紫外发光器件和光探测器件,具有极大地发展空间和广阔的应用市场GaN半导体材料。

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